深圳市龙岗区布吉捷科电子仪器有限公司
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2611B 美国吉时利KEITHLEY数字源表
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产品介绍
2611B 美国吉时利KEITHLEY数字源表
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 回收工厂闲置/倒闭电子仪器,个人处理仪器,欢迎来电!  
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各种器件的I-V功能测试和特征分析,包括:
 离散和无源元件 
–两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻(MOV)、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
–三抽头器件——小信号双极结型晶体管(BJT)、场效应晶体管(FET)等等 
 简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
 集成器件——小规模集成(SSI)和大规模集成(LSI)
–模拟IC 
–射频集成电路(RFIC)
–专用集成电路(ASIC)
–片上系统(SoC)器件
 光电器件,例如发光二极管(LED)、激光二极管、高亮度LED(HBLED)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、显示器
 圆片级可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、电迁移
 太阳能电池
 电池
暂态抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
电路保护器件:
TVS、MOV、熔丝
安全气囊
连接器、开关、继电器
碳纳米管
半导体纳米线
碳纳米管 FET
纳米传感器和阵列
单电子晶体管
分子电子
有机电子
基本运放电路
二极管和电路
晶体管电路
测试:
漏流
低压、电阻
LIV
IDDQ
I-V特征分析
隔离与轨迹电阻
温度系数
正向电压、反向击穿、漏电流
直流参数测试
直流电源
HIPOT
介质耐受性
双极结型晶体管设计
结型场效应晶体管设计
金属氧化物半导体场效应晶体管设计
太阳能电池和 LED 设计
高电子迁移率晶体管设计
复合半导体器件设计
分析纳米材料和实验器件
碳纳米管的电测量标准
测量碳纳米管电气特性
提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量
在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量