第三代半导体材料主要包括碳化硅、金刚石、氮化镓等，相比 代、第二代半导体材料，第三代半导体材料具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子微波射频器件的核心，在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景，正在成为 半导体产业新的战略高地。 碳化硅被半导体界公认为是一种未来的材料，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料，促使碳化硅发展的主要因素是硅材料的负载量已经达到极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。 碳化硅属于宽禁带半导体，物理特性与硅有很大不同，碳化硅耐高温，导热率超过铜的导热率，器件产生的热量会快速传递，这无疑对器件的通流性能提高非常有利。碳化硅还有很强的耐辐射性，做成的器件可以在核反应堆附近及太空中电子设备应用。 因此，可以预见到不久的将来，碳化硅材料和器件工艺的完善，部分硅领域被碳化硅来替代是指日可待的。