武汉普赛斯仪表有限公司
主营产品:源表,数字源表,源测单元,SMU,脉冲电流源,VCSEL测试仪器,脉冲LIV,脉冲恒流源,脉冲光功率测量,激光脉冲电流源
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国产半导体参数分析仪
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功率半导体行业测试设备
led失效分析用高精度源表
宽禁带器件测试高电压大电流源
A400型数据采集卡
宽禁带材料电性能分析数字源表
国产半导体参数分析仪
联系人:
陶女士
QQ号码:
1993323884
电话号码:
027-87993690
手机号码:
18140663476
Email地址:
1993323884@qq.com
公司地址:
湖北省武汉市江夏区东湖开发区光谷大道308号光谷动力绿色环保产业园8栋2楼
产品介绍
普赛斯国产半导体参数分析仪特点和优势:
单台Z大3000V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;
10us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;详询一八一四零六六三四七六
产品参数
项目
参数
集电极-发射极
Z大电压.
3000V
Z大电流
1000A
精度
%
漏电流测试量程
1uA~100mA
栅极-发射极
Z大电压.
300V
Z大电流
1A(直流)/10A(脉冲)
精度
%
Z小电压分辨率
30uV
Z小电流分辨率
10pA
可测项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces
集电极-发射极饱和电压Vce sat
集电极电流Ic,集电极截止电流Ices
栅极漏电流Iges,栅极-发射极阈值电压Vge(th)
栅极电阻Rg
电容测量
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
普赛斯国产半导体参数分析仪集多种测量和分析功能一体,可J准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
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