DIO82612同步整流快充芯片采用MHz级高频同步整流，适用于当前火热的氮化镓（GaN）大功率快充应用，DIO82612同步整流快充芯片采样独有的专利技术：快速响应的比例驱动技术、自适应的开通时间屏蔽设计以及高可靠性的适配CCM模式的预关闭机制，DIO82612同步整流不仅具备非常好的匹配QR和ACF系统的高兼容性，同时更适于深度CCM模式，增强了安全工作稳定性。DIO82612同步整流快充芯片利用低热阻封装亦能实现高可靠性的差异化设计，有助于客户快速实现更小尺寸、支持35-65W不同功率等级的USB PD快充解决方案。 DIO82612同步整流快充芯片产品特性： 1、支持QR/DCM/CCM/ACF/LLC等拓扑 2、MOSFET VDS采样耐压高达230 V 3、开关频率： –DIO82612 为 800 kHz –DIO82611为1MHz 4、宽VIN范围：5~30V 5、栅极驱动具有3A的灌电流和1A的拉电流能力 6、自适应Toff时间，提高抗噪能力 7、兼容高压侧或低压侧整流 8、低启动电流：100μA（Typ.） 9、低待机电流：300μA（Typ.） 10、关断传播延迟：20ns（Typ.） 11、9.5V驱动钳位电压 DIO82612经过实验室多方面验证和严苛的老化考核，非常适合高功率密度中大功率快充应用,深圳GaN快充方案同步整流DIO82612芯片适用30-65W快充方案，凯特瑞科技提供GaN快充方案同步整流DIO82612芯片报价，PD方案，30-65W PD快充方案，技术和现货支持。