磷化铟衬底晶片 磷化铟（InP）作为一种性能优异的半导体材料，可在大功率高温度下工作，且性能稳定。主要应用于光纤通讯及微电子领域，包括光纤通讯、无线网络、手机、蓝牙通讯、卫星通讯微波领域，以及射频集成电路等。可按客户要求定制，具体参数可看图或联系客服。 产品简介 性状：沥青光泽的深灰色晶体， 闪锌矿结构。 熔点：1070℃。常温下带宽（Eg=1.35 eV）。熔点下离解压为2.75MPa。 溶解性：极微溶于无机酸。 介电常数：10.8 电子迁移率：4600cm2/(V·s) 空穴迁移率：150cm2/(V·s) 制备：具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。 产品技术参数 单晶 InP 备注 外形尺寸 2" , 3", 4" 客户要求 厚度 Dia2" X 500µm(单抛或双抛) Dia3" X 500µm(单抛) Dia4" X 635µm（单抛） 晶向 100 客户要求 掺杂 None；Sn；S；Fe：Zn 硬度 3.0莫氏硬度 密度 4.78 g/cm3 导电类型 N；N；N；Si；P 折射率 3.45 载流子浓度cm-3 1-2x1016 ，1-3x1018 1-4x1018 ，6-4x1018 位错密度cm-2 小于5x104 生长方法 LEC 温度 1072℃ 弹性模量 7.1E11dyn Cm-2