锗衬底晶片 Ge Substrate Wafers 锗单晶片是重要的半导体衬底材料。主要用于地面聚光光伏电站（CPV）、空间太阳能电池板以及超高亮度LED衬底材料。 产品主要广泛应用于太阳能电池和地面高倍聚光太阳能电站等，其发电效率为硅片数倍。公司可提供低位错或零位错锗衬底，规格包括2英寸、3英寸、4英寸和6英寸。亦可根据客户需求，定制特殊规格锗衬底片。 产品简介 锗晶片具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克／厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。 产品规格说明 外形尺寸2"~12" 纯度≥99.999% 晶体结构：单晶/多晶 导电类型：N/P 直径：50～300mm/多晶380mm 电阻率：5～40 Ω·cm （客户要求） 平整度 ≤20µm 垂直度 小于 5′ 倒角 0.2～1mm 破边 ≤0.5mm 厚度：客户要求 表面处理：抛光/非抛光（客户要求）