武汉普赛斯仪表有限公司
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IGBT击穿电压测试源测单元
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产品介绍
IGBT击穿电压测试源测单元具有输出及测量电压高(3000V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在D一象限,输出及测量电压0~3000V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。
设备可应用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
 
IGBT击穿电压测试源测单元 技术参数
Z大输出功率:300W,3000V/100mA(不同型号有差异);
输出电压建立时间:< 5ms;
输出接口:KHV(三同轴),支持四线测量;
扫描:支持线性、对数及用户自定义扫描;
通信接口:RS232、以太网;
保护:支持急停;
触发:支持trig IN及trig out;
尺寸:19英寸1U机箱;