武汉普赛斯仪表有限公司
主营产品:源表,数字源表,脉冲电流源,脉冲源表,VCSEL测试系统
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大功率IGBT静态参数测试系统
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功率mos管大电流I-V测试脉冲源表
iv测试仪@iv+cv测试设备
宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体测试仪器
利用数字源表测试光电二极管电性能
半导体特性曲线分析仪CV+IV测试仪
大功率IGBT静态参数测试系统
联系人:
陶女士
QQ号码:
1993323884
电话号码:
027-87993690
手机号码:
18140663476
Email地址:
1993323884@qq.com
公司地址:
湖北省武汉市江夏区东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园8栋2楼
产品介绍
大功率IGBT静态参数测试系统认准武汉生产厂家普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体,可J准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流J准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。
产品特点
高电压:支持高达3KV高电压测试;
大电流:支持高达4KA大电流测试;
高精度:支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级J准测量;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;
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