晶圆键合介绍:晶圆键合技术是将两片晶圆相互结合,对于某些键合是利用表面原子相互反应,产生共价键,使两者结为一体。也可以是利用中间介质的粘合性使两个片子相互结合。
晶圆键合可以满足微电子材料,光电材料及其纳米等级微机电元件的制作和封装需求,可结合不同晶格、不同种类的材料。在器件的物理特性,化学特性,电子特性都有非常广阔的前景。
适用于实验室研发,小批量生产的晶圆级键合提供服务。在工艺过程中对温度和压力可控制、实现动态降温和快速升温的功能、以及计算机控制的晶圆处理过程。
该键合机可以实现阳极键合,共晶键合,熔融键合等等,可以实现真空和氮气环境下键合。同时键合机还兼容使用SUSS MA/BA掩模对准光刻机和开放式设计的夹具,实现对准键合。
技术指标:
Wafer size: 4inch,6inch
Maximumtemperature:500℃
Maximumpressure:4000mBar
Maximumvoltage:-2000V
Ultimatepressure:1×10-4 mBar
Overlay error:±5μm