产品介绍
二氧化硅片是指在硅片表面热生长一层均匀的介质薄膜,用作绝缘、或者掩模材料。氧化工艺包括高温干氧氧化、高温湿氧氧化。公司采用进口氧化设备、工艺实现氧化层均匀、准确的生成。森烁科技致力于为客户提供各种硅片解决方案,针对客户不同需求提供定制化服务,在重视客户满意度及质量服务至上,持续提升本公司经营绩效,不断改善创新,专注于半导体行业研发领域,研发创新科学技术,取得技术与品质皆优的产品。为客户提供可定制高质量半导体氧化硅片Sio2氧化层硅片,其高质量品质获客户一致好评,回购率高且销售国内外各地,其参数规格如下:
外形尺寸:2-12英寸
型号:N/P型,本征(不掺杂)
直径:50-300mm
总厚度:250-600um
氧化层厚度:50nm-2000nm(常规100nm,200nm,300nm,500nm,1000nm)
平整度(TIR)<3um
翘曲度(BOW):≤15um
TTV:≤15um,30um
粗糙度:<0.5nm
电阻率:0.001-20000(Ω.cm)
晶向:100/110/111
级别:IC级
表面处理:单抛,双抛,研磨
外形尺寸,型号,总厚度,氧化层厚度,电阻率,表面处理等均可定制