无锡新洁能股份有限公司 一、公司历史 8”5层光刻板制备沟槽MOS； 在12”同时量产沟槽、SGT、SJ、IGBT产品 首款1.2kV150A IGBT单管；光储国产IGBT单管市占率 国内 量产SJ MOS；国内 量产SGT MOS；国内 12” 月产超1万片 国内 量产8”IGBT；；国内 量产900V SJ MOS；国内 量产P型SGT MOS 国内 量产650V 高频FS-IGBT；国内 量产TOLL大功率MOS；累积产出超200万片 二、公司概况 ①公司人数340人，其中35%研发，33%制造。 ②省研究中心：江苏省功率器件研究中心、NCE东南大学、NCE江南大学、省研究生工作站 ③179项专利：发明专利60项、美国专利1项、集成电路布局24项、软件著作1项 ④四大销售中心：无锡销售中心、深圳分公司、宁波分公司、香港子公司 ⑤2000+产品：MOSFET、IGBT器件及模块、栅极驱动IC、SiC/GaN器件等 三、销售额与市场分布 ①2022年IGBT销售额同比增长400%、2022年汽车电子销售额同比增长超700%、2016-2021年中国功率半导体十强企业、2021年国内MOSFET市场份额占比排名第五 ②光伏逆变与储能市场，国产IGBT器件 品牌 ③2022年销售分布占比：工业及自动化（27%）、光伏储能（25%）、消费电子（15%）、汽车电子（14%）、5G安防及数据中心（13%）、智能短交通（6%） 四、公司概况 1、芯片代工：华虹宏力 战略合作伙伴 “芯路十三载，风雨同行” ① 四个代工厂，同时量产 ②新产品开发成功率 的客户（83%），华虹其他客户（30~50%） ③市场淡季时，支持华虹填产能；旺季时，华虹优先保证公司产能 2、产业链合作 ①封装测试：捷敏、长电科技、日月光等10余家封装合作伙伴，覆盖47种封装外形 3、研发能力 ①设计实验室：版图（器件、电路、封装）与仿真（工艺与结构、电学、热力学、电磁学、机械应力学） ②测试实验室：规格书所有动静态测试参数 ③应用分析实验室：电机驱动、电源、光伏与储能、锂电保护等 ④可靠性与失效分析：AEC-Q101，无损分析，破坏性实验分析 五、产品系列（总计2000+产品） ①Trench MOS——NMOS、PMOS（0.22A~350A） ②SGT MOS——NMOS、PMOS（5A~400A） ③功率集成器件——N+N、N+P、半桥、全桥 ④SJ MOS（1.8A~100A） ⑤功率集成模块（PIM）：650V~1700V/15A～600A ⑥SiC MOS（650V~1200V/40A~100A） ⑦IGBT（7A~200A） 六、NCE超结MOSFET产品开发路线 ①Gen.1 量产时间:2010年 技术特点：650V Pitch 16um、平面栅结构 产品电压:500V/600V/650V 650V特征导通电阻：3.20 Ω.mm2 产品系列：常规系列 ②Gen.2 量产时间:2013年 技术特点：650V Pitch 14um、平面栅结构 产品电压:650V/700V、800V/900V 650V特征导通电阻：2.65 Ω.mm2 产品系列：常规系列 ③Gen.3 量产时间:2016年 技术特点：650V Pitch 11um、沟槽栅结构 产品电压:650V/700V、800V 650V特征导通电阻：1.90 Ω.mm2 产品系列：常规系列、快恢复体二极管系列 ④Gen.4 量产时间:2021年 技术特点：650V Pitch 9um、电荷补偿设计、开关特性优化设计 产品电压:500V/600V、650V/700V、800V/900V/1050V 650V特征导通电阻：1.40 Ω.mm2 产品系列：常规系列、快恢复体二极管系列