江苏丽隽功率半导体有限公司（以下简称“公司”）成立于2015年1月，是一家从事功率半导体器件和集成电路设计、芯片制造、封装测试、终端销售与服务为主的高新技术企业、江苏省专精特新中小企业、无锡市准独角兽企业。公司联合创始人包括多名从事功率半导体设计制造20年以上工作资历的人士，并与技术、历史悠久的半导体公司德律风根（TFSS）在技术上有紧密合作。 公司以能工业级产品市场为导向，与半导体业界的代工资源深度合作，在MOSFET工艺平台、IGBT工艺平台、BCD工艺平台、BiCMOS工艺平台上为客户提供的半导体产品和竞争力的高能效功率解决方案。公司立足于自主创新，拥有“丽隽半导体”、“PIP”等自主产品品牌；同时在6/8/12英寸代工平台的功率器件和集成电路设计及制造工艺方面，拥有多项设计和工艺制造相关专利；此外还与晶圆厂战略合作，搭建了具备自主知识产权的特种功率器件和第三代半导体产品的设计及工艺制造平台，当前已具备SiC/GaN MOSFET开发和制造能力。 公司自主研发的产品系列VDMOS、TRENCH/SGT MOS、COOLMOS、IGBT、FRD、Gate Driver IC、PWM IC、高频器件等已被广泛应用于消费电子、智能家居、有线/无线通信、光伏逆变器、工业控制、储能电源、新能源汽车、电网及轨道交通等领域。公司的核心产品包括特高压和超高压平面MOSFET、中低压普通沟槽栅MOSFET、屏蔽栅深沟槽MOSFET、SJ/CoolMOS以及IGBT与FRD等多种系列的功率半导体产品，多个优势产品的技术参数可对标国际知名品牌，性能指标国内，特别是在工业领域可实现进口替代。 为确保产品性能，公司建有的研发实验室，具备直流特性检测、动态特性检测、高温反偏、高温栅偏、存储可靠性试验等能力以及整机应用测试能力。2023年获评为无锡市高性能功率器件工程技术研究中心。 2022年公司完成了5500万元融资，此轮融资将继续深化公司在研发方面的投入，为实现创新开启新征程。 核心产品：MOSFET 1.Planar MOSFET: 耐压范围：60~1500V 电流范围：1~90A 应用领域： 消费电子、工业电源、DC/DC转 换器、电机控制器、光伏逆变、 变频器、电网、轨道交通等。 2.Trench MOSFET: 耐压范围：30~80V 电流范围：50~300A 应用领域： 大功率工业电源、PD快充、电机驱 动和控制 、DC/DC 转换器、 UPS、 逆变及电池保护等领域。 3.SGT MOSFET: 耐压范围：30~250V 电流范围：30~250A 应用领域： PD快充、PC服务器、光伏逆变、 储能BMS管理、新能源汽车 OBC等。 4.COOL MOSFET: 耐压范围：600~800V 电流范围：4.7~47A 应用领域： 工业及汽车应用SMPS、电池驱动型 电机，逆变器，PC服务器，UPS等。 MOS-Planar(特高压平面MOS) 耐压等级：800~1500V 产品描述： 高压、大电流系列MOSFET采用的平面结构设计和更优的工艺制程，拥有更优的产品参数。 应用领域： 大功率不间断电源、大功率工业电源、光伏风电逆变器、储能电源、智能电网等领域。 800~1500V/1~100A产品性能参数指标完全实现进口替代，处于国内地位，具有极强的竞争优势。 MOS-Planar(超高压平面MOS) 耐压等级：1600~3000V 产品描述： 采用丽隽的PI终端工艺和优化的栅氧工艺制程，拥有更低导通电阻，更低的栅极电荷，良好的开关特性，提高了产品可靠性和稳定性。 应用领域： 电容器放电单元、轨道交通、高压输变电等领域。 MOS-Trench 耐压等级：30~80V 产品描述： 采用的制程工艺和结构设计，具有更低的内阻，更优异的抗干扰能 力，更小栅电荷，开关速度快，可有效减小系统损耗，提高系统效率。 l应用领域： 电池管理系统、电机驱动、AC/DC同步整流、消费类电子等领域。 MOS-SGT 耐压等级：30~250V 产品描述： 采用了的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构， 拥有更低的内阻与超低的栅极电荷（Qg），采用新型Clip封装工艺进一 步提高系统的功率密度与效率。 应用领域： 电机驱动、电池管理系统、开关电源（SMPS）同步整流、新能源汽车 OBC、其他DC/DC等领域。 MOS-COOL MOS 耐压等级：600~800V 产品描述： 具有更低的导通电阻，的栅极电荷，优异的开关速度等优点。 l应用领域： 广泛应用于家用电器驱动、各类电源产品、新能源汽车充电桩及光伏逆变 等领域。